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是由于P型和N型半导体接触时,载流子(多子和少子)因浓度差而发生扩散,导致在接触面附近的一个区域内,可移动的载流子几乎被耗尽,只剩下不能移动的带电离子,从而形成了一个带电的、存在内建电场的区域